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STP12NK60Z

Mfr# STP12NK60Z
Mfr. STMicroelectronics
Descrição MOSFET N-CH 600V 10A TO220
Estado de RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Mais Informações Aprenda mais sobre STMicroelectronics STP12NK60Z
Fichas de dados STP12NK60Z.pdf

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  • Disponível:15988 pcs
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Descrição

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Modelo do Produto STP12NK60Z
Fabricante STMicroelectronics
Descrição MOSFET N-CH 600V 10A TO220
Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 15988 pcs
Fichas de dados STP12NK60Z.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA
Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220AB
Série SuperMESH™
RDS ON (Max) @ Id, VGS 640 mOhm @ 5A, 10V
Dissipação de energia (Max) 150W (Tc)
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-220-3
Outros nomes 497-4817-5
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1740pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 59nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 600V
Descrição detalhada N-Channel 600V 10A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)

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